原理
依據(jù)陽極層線性封閉漂移理論，氣體在離子中的陰陽極之間通過。其陽極的正電壓與加在內(nèi)外陰極端部間的強(qiáng)磁場相互作用，產(chǎn)
生等離子體，來自與等離子體中的離子受陽極電場的驅(qū)動(dòng)，由離子源中產(chǎn)生噴出的離子?xùn)|流。
用途
可作為基片表面的清潔離子清洗源。
可在柔性基片上直接鎪 DLC 和光學(xué)膜、氧化物、氨化物等作為磁控濺射過程中的離子輔助沉積。
特性
低氣壓、低電壓、高束流。陽極層離子源產(chǎn)生的低能量、大東流的離子?xùn)|可以有效去除基片表面的有機(jī)污染物和氧化層，增加薄
膜的附著力，同時(shí)避免對(duì)基片轟擊時(shí)造成損傷(如平板顯示器鍍膜、柔性基材鍍膜)。
無燈絲、柵極及中和柵，可長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行和生產(chǎn)。非常高的平均無故障時(shí)間和極低的維護(hù)成本。由于陽極膜離子源無需燈絲，
空心陰極等電子中和器而且水冷完全，所以其對(duì)鍍膜環(huán)境的溫度改變很好。這個(gè)特性對(duì)溫度敏感基片的鍍膜非常有利。同樣道理，沒
有電子中和器使其可以長時(shí)間免維護(hù)工作。
可適應(yīng)各種反應(yīng)氣體和惰性氣體。陽極層離子源的機(jī)構(gòu)和材料組成使得其完全適應(yīng)絕大部分反應(yīng)氣體，如氮?dú)?、氧氣及氙氣等?/p>
離子源長度可根據(jù)用戶需要制造。
